电子束曝光技术是在计算机控制下,按照加工要求的图形,利用聚焦后的电子束对基片上的抗蚀剂进行曝光,在抗蚀剂中产生具有不同溶解性能的区域,根据不同区域的溶解特性,利用具有选择性的显影剂进行显影,溶解性强的抗蚀剂部分被去除,溶解性差或不溶的部分保留下来,就可以得到所需要的抗蚀剂图形。正文编辑区域参考资料编辑区域
查看详情电子束曝光技术是在计算机控制下,按照加工要求的图形,利用聚焦后的电子束对基片上的抗蚀剂进行曝光,在抗蚀剂中产生具有不同溶解性能的区域,根据不同区域的溶解特性,利用具有选择性的显影剂进行显影,溶解性强的抗蚀剂部分被去除,溶解性差或不溶的部分保留下来,就可以得到所需要的抗蚀剂图形。正文编辑区域参考资料编辑区域
查看详情摘要 NMC 508RIE介质刻蚀机为电容耦合等离子体干法刻蚀机,适用6/8英寸介质层刻蚀工艺,具有高刻蚀速率和均匀性,工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。该机台为多腔室集群设备,可全自动并行工艺、易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低。
在线询价摘要NMC 508M金属刻蚀机为高密度等离子体刻蚀机,适用6/8英寸金属干法刻蚀工艺。具备良好的铝线形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备,含金属腔和去胶腔组合,可全自动并行工艺,PM维护周期长,性能稳定,产能高,客户拥有成...
在线询价摘要NMC 508CG多晶硅刻蚀机为高密度等离子体刻蚀机,适用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蚀工艺。具备良好的形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备,可全自动并行工艺,易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低 。已广泛量产应用...
在线询价摘要JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为(计算值)2.1nm的电子束,简便地描画出线宽在8nm以下(实际可达5nm)的图形。此外,该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度,性能比。利用最细电子束束斑(实测值直径≦2.9nm)...
在线询价摘要 JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统,兼具高水平的产出量和定位精度,能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版,适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。
在线询价摘要 JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统?
在线询价摘要 JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统。
在线询价摘要PLUTO-WIN是面向科研及企业研发客户使用需求设计的高性价比ICP等离子体系统。作为一个多功能系统,它通过优化的系统设计与灵活的配置方案,获得高性能ICP刻蚀工艺。该设备结构紧凑占地面积小,专业的机械设计与优化的自动化操作软件使该设备操作简便、安全,且工艺稳定重复...
在线询价摘要PLUTO-WIN是面向科研及企业研发客户使用需求设计的高性价比CCP等离子体系统。作为一个多功能系统,它通过优化的系统设计与灵活的配置方案,获得高性能CCP刻蚀工艺。该设备结构紧凑占地面积小,专业的机械设计与优化的自动化操作软件使该设备操作简便、安全,且工艺稳定重复...
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